Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDD6690A

MOSFET N-CH 30V 12A/46A DPAK

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
FDD6690A

FDD6690A Hakkında

FDD6690A, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilim sınırlaması ile 12A (Ta) / 46A (Tc) sürekli drenaj akımını işleyebilir. TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan bu komponen, 12mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim direnci sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen transistör, anahtarlama uygulamaları, DC-DC konverterler, motor kontrol devreleri ve güç yönetimi sistemlerinde kullanılır. 4.5V ve 10V gate sürüş gerilimi seçenekleri ile geniş uygulama yelpazesine uyum sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A (Ta), 46A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1230 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 3.3W (Ta), 56W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12mOhm @ 12A, 10V
Supplier Device Package TO-252AA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok