Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDD6688S

MOSFET N-CH 30V 88A DPAK

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
FDD6688S

FDD6688S Hakkında

FDD6688S, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source voltaj desteği ile 88A sürekli drenaj akımı sağlayabilen bu bileşen, düşük on-direnç (5.1mOhm @ 10V) karakteristiği sayesinde güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-252 (DPak) yüzey montaj paketi ile PCB tasarımlarında kompakt yer kaplar. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı desteği sunarak geniş uygulama alanında yer alır. Güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol devreleri ve endüstriyel anahtarlama sistemlerinde yaygın olarak uygulanır. Maksimum 69W güç tüketimi kapasitesi bulunmaktadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 88A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3290 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 69W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.1mOhm @ 18.5A, 10V
Supplier Device Package TO-252, (D-Pak)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok