Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDD6685
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDD6685
FDD6685 Hakkında
FDD6685, Rochester Electronics tarafından üretilen P-Channel MOSFET güç transistörüdür. TO-252 (D-Pak) paketinde sunulan bu bileşen, 30V drain-source voltajında maksimum 11A (Ta) / 40A (Tc) sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 20mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sunar. Gate charge karakteristiği 24nC (@5V) ve input kapasitansi 1715pF (@15V) olarak belirtilmiştir. Anahtarlama uygulamaları, motor kontrol devreleri, güç yönetimi sistemleri ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılan endüstriyel seviye bir güç transistörüdür.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Ta), 40A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1715 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.6W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20mOhm @ 11A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252, (D-Pak) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok