Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDD6685-G
MOSFET N-CH 60V SUPERSOT6
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDD6685
FDD6685-G Hakkında
FDD6685-G, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 11A (Ta) / 40A (Tc) sürekli dren akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. 20mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. TO-252-3 (DPak) yüzey montajlı pakette sunulan bu bileşen, ±25V maksimum gate gerilimi ve -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. Güç yönetimi, anahtar devreler ve motor kontrol uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Bileşen üretimi durdurulmuş (obsolete) olup, yedek çözümler değerlendirilmelidir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Ta), 40A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1715 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.6W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20mOhm @ 11A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok