Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDD6682_NL

N-CHANNEL POWER MOSFET

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
FDD6682

FDD6682_NL Hakkında

FDD6682_NL, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET'tir. 30V Drain to Source geriliminde 75A sürekli dren akımı sağlayarak güç uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. 6.2mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük güç kaybı özellikleri vardır. Surface Mount TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu transistör, motor kontrol, güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler ve yüksek akım anahtarlama devrelerinde uygulanır. ±20V gate gerilim aralığında ve -55°C ile 175°C arasında çalışır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 75A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 31 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2400 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.2mOhm @ 17A, 10V
Supplier Device Package TO-252, (D-Pak)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok