Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDD6680AS
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDD6680AS
FDD6680AS Hakkında
FDD6680AS, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistörüdür. 30V Drain-Source gerilimi ve 55A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle güç uygulamalarında kullanılır. TO-252 (DPak) yüzey montajlı paketlemesiyle kompakt tasarımlara entegre edilebilir. 10.5mΩ maksimum gate-source direnci ile düşük güç kaybı sağlar. Switching uygulamaları, motor sürücüleri, DC-DC konverterler ve güç yönetimi devrelerinde tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 55A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 29 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1200 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 60W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10.5mOhm @ 12.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok