Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDD6680A
MOSFET N-CH 30V 14A/56A DPAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDD6680A
FDD6680A Hakkında
FDD6680A, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 14A sürekli dren akımı (Ta) ile karakterize edilmiştir. TO-252 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, güç yönetimi uygulamaları, anahtarlama devreleri, motor kontrolü ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılmaktadır. 9.5mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. -55°C ile +175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. ±20V maximum gate-source gerilimi ve 20nC gate yükü özellikleriyle hızlı anahtarlama uygulamalarına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 14A (Ta), 56A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1425 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.8W (Ta), 60W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.5mOhm @ 14A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok