Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDD6680A
MOSFET N-CH 30V 14A/56A DPAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDD6680A
FDD6680A Hakkında
FDD6680A, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilimi (Vdss) ve 14A sürekli dren akımı (Ta) / 56A (Tc) kapasitesiyle uygulamalarda anahtarlama ve güç yönetimi işlevleri gerçekleştirir. 9.5mOhm maksimum on-direnci (Rds On) ile düşük güç kaybı sağlar. TO-252 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol devreleri ve yük anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans gösterir. Gate charge 20nC ve input capacitance 1425pF değerleri hızlı anahtarlama karakteristiğine işaret eder.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 14A (Ta), 56A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1425 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.8W (Ta), 60W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.5mOhm @ 14A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252, (D-Pak) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok