Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDD6680
MOSFET N-CH 30V 12A/46A DPAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDD6680
FDD6680 Hakkında
FDD6680, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltajı ve 12A (Ta) / 46A (Tc) sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 10mΩ maksimum RDS(On) değeri ile düşük kayıp uygulamalarında kullanıma uygundur. TO-252 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama devreleri, güç yönetimi uygulamaları ve motor kontrol sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. -55°C ile +175°C arasında çalışabilir ve 3.3W (Ta) / 56W (Tc) güç dağıtabilir. ±20V gate-source voltajı ile esnek kontrol sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Ta), 46A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1230 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 3.3W (Ta), 56W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10mOhm @ 12A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252, (D-Pak) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok