Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDD6676AS
MOSFET N-CH 30V 90A TO252
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDD6676AS
FDD6676AS Hakkında
FDD6676AS, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilim ve 90A sürekli akım kapasitesine sahip olan bu bileşen, güç yönetimi, motor kontrol, anahtarlama uygulamaları ve güç dönüştürücü devrelerinde kullanılır. TO-252 (DPak) yüzey montajlı pakette sunulan transistör, 5.7mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük kaybı sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen ve 70W maksimum güç dağılımına sahip olan FDD6676AS, endüstriyel elektronik, otoomotiv ve tüketici elektroniği uygulamalarında tercih edilir. Şu anda kullanım dışı (obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 90A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 64 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2500 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 70W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.7mOhm @ 16A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252, (D-Pak) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok