Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDD6676
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDD6676
FDD6676 Hakkında
FDD6676, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 30V Drain-Source gerilimi ve 78A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılan bir yarıiletken bileşenidir. TO-252 (DPak) Surface Mount paketlemesi ile PCB tasarımlarına entegrasyonu kolaylaştırır. 7.5mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük geçiş direnci sağlar. Motor kontrol devreleri, güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler ve yük anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 78A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 63 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5103 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.6W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.5mOhm @ 16.8A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252, (D-Pak) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok