Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDD6672A
MOSFET N-CH 30V 65A TO252
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDD6672A
FDD6672A Hakkında
FDD6672A, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilimi ve 65A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip bu bileşen, TO-252 (DPak) yüzey montajlı paketlemede sunulmaktadır. 8mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Güç yönetimi uygulamaları, anahtarlama devreleri, motor kontrolü ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışır. Maksimum 70W ısıl güç dağılımı kapasitesine sahiptir. 4.5V ve 10V gate sürme gerilimlerinde tasarlanmıştır. Bileşen üretimden kaldırılmış (Obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 65A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 46 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5070 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 3.2W (Ta), 70W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8mOhm @ 14A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252, (D-Pak) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok