Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDD6670S
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDD6670S
FDD6670S Hakkında
FDD6670S, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistörüdür. 30V drain-source voltaj ve 64A sürekli drain akımı özelliğine sahiptir. TO-252 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan bu komponent, düşük on-resistance değeri (9mΩ @ 10V) ile verimli güç anahtarlaması sağlar. Geniş çalışma sıcaklık aralığında (-55°C ~ 150°C) güvenilir performans gösterir. Motor kontrolü, güç kaynakları, anahtarlamalı sistemler ve diğer güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. Gate charge 24nC ve input capacitance 2010pF değerleri hızlı anahtarlama özelliği sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 64A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2010 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.3W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9mOhm @ 13.8A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252, (D-Pak) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok