Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDD6670AL_NL

N-CHANNEL POWER MOSFET

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
FDD6670AL

FDD6670AL_NL Hakkında

FDD6670AL_NL, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET'tir. 30V Drain-Source gerilimi ve 84A sürekli dren akımı kapasitesi ile yüksek akım uygulamalarında kullanılır. 5mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. Surface mount TO-252 (D-Pak) paketinde sunulan bu bileşen, motor kontrolü, güç kaynakları, anahtarlama devreleri ve elektrik araç uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile +175°C arası geniş çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans gösterir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 84A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 56 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3845 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5mOhm @ 18A, 10V
Supplier Device Package TO-252, (D-Pak)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok