Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDD6670A_NL
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDD6670A
FDD6670A_NL Hakkında
FDD6670A_NL, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 30V Drain-Source gerilimi ve 15A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılır. 8mOhm maksimum RDS(on) değeri ile enerji verimliliği sağlar. TO-252 (D-Pak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, motor sürücüleri, güç kaynakları ve DC-DC dönüştürücüler gibi uygulamalarda tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığına sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 15A (Ta), 66A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1755 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.3W (Ta), 63W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252, (D-Pak) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok