Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDD6635

MOSFET N-CH 35V 15A/59A DPAK

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
FDD6635

FDD6635 Hakkında

FDD6635, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 35V drain-source gerilimi ve 15A (Ta) / 59A (Tc) sürekli drenaj akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. TO-252 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. 10mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Güç yönetimi, motor kontrolü, anahtarlama uygulamaları ve güç dönüştürücülerinde kullanılmaktadır. Maksimum 36nC gate charge ve 1400pF input capacitance değerleriyle hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir. Cihaz obsolete durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 15A (Ta), 59A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 35 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1400 pF @ 20 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 3.8W (Ta), 55W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10mOhm @ 15A, 10V
Supplier Device Package TO-252AA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok