Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDD6632

MOSFET N-CH 30V 9A DPAK

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
FDD6632

FDD6632 Hakkında

FDD6632, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V Drain-Source gerilimi ve 9A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip olan bu bileşen, düşük on-resistance (70mOhm @ 9A, 10V) ile karakterizedir. TO-252 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan FDD6632, güç yönetimi, motor kontrolü, anahtarlama devreleri ve DC-DC dönüştürücü uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu transistör, maksimum 15W güç dağılımı kapasitesi sunmaktadır. ±20V gate gerilim toleransı ve 3nC gate charge değerleri ile hızlı anahtarlama işlemleri destekler.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 255 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 15W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 70mOhm @ 9A, 10V
Supplier Device Package TO-252, (D-Pak)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok