Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDD6606
MOSFET N-CH 30V 75A D-PAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDD6606
FDD6606 Hakkında
FDD6606, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V Drain-Source gerilimi ve 75A sürekli drain akımı ile çalışan bu bileşen, düşük 6mOhm RDS(on) değerine sahiptir. TO-252 (D-PAK) paketinde sunulan FDD6606, güç anahtarlaması, motor kontrolü, LED sürücüleri ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen ve 71W güç tüketimine dayanabilen bu transistör, yüksek akım uygulamaları için tasarlanmıştır. 31nC kapı yükü ve hızlı anahtarlama özelliği ile endüstriyel ve tüketici elektronik cihazlarında yaygın olarak uygulanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 75A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 31 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2400 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 71W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6mOhm @ 17A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok