Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDD6606
MOSFET N-CH 30V 75A DPAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDD6606
FDD6606 Hakkında
FDD6606, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltajı ve 75A sürekli drenaj akımı ile güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-252 (DPAK) paket tipi ile yüzey montajı için uygun olan bu bileşen, 6mΩ on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. Geniş çalışma sıcaklık aralığında (-55°C ~ 175°C) istikrarlı performans gösterir. Motor kontrolü, güç dönüştürücüleri, anahtarlama uygulamaları ve güç yönetimi devrelerinde yaygın olarak kullanılmaktadır. ±20V maksimum gate-source voltajı ve 31nC gate charge değeri, hızlı ve kontrollü anahtarlama işlemi sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 75A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 31 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2400 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 71W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6mOhm @ 17A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252, (D-Pak) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok