Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDD6530A
MOSFET N-CH 20V 21A TO252
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDD6530A
FDD6530A Hakkında
FDD6530A, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 20V drain-source voltajı ve 21A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-252 (D-Pak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, düşük on-resistance değeri (32mΩ @ 4.5V) sayesinde enerji dönüşüm sistemlerinde, motor kontrolü devrelerinde ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile +175°C arasında çalışabilir ve maksimum 3.3W güç tüketimi kapasitesine sahiptir. Geniş sıcaklık aralığı ve yüksek akım kapasitesi ile endüstriyel ve ticari uygulamalara uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 21A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 710 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.3W (Ta), 33W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 32mOhm @ 8A, 4.5V |
| Supplier Device Package | TO-252, (D-Pak) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok