Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDD6512A

MOSFET N-CH 20V 10.7A/36A DPAK

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
FDD6512A

FDD6512A Hakkında

FDD6512A, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source voltaj ve 10.7A sürekli drain akımı (Ta) ile tasarlanmıştır. TO-252 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan bu komponent, 2.5V-4.5V gate drive voltajında çalışır ve 21mOhm maksimum kanal direncine (Rds On) sahiptir. -55°C ile +175°C arasında çalışabilen bu transistör, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrol ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. 19nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama performansı sağlar. Parçanın üretimi durdurulmuş (obsolete) olup, yeni tasarımlarda alternatif komponent kullanılması önerilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10.7A (Ta), 36A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 19 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1082 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 3.8W (Ta), 43W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 21mOhm @ 10.7A, 4.5V
Supplier Device Package TO-252AA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±12V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok