Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDD6512A
MOSFET N-CH 20V 10.7A/36A DPAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDD6512A
FDD6512A Hakkında
FDD6512A, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 20V drain-source gerilimi ile çalışan bu bileşen, 10.7A sürekli dren akımı (Ta'da) ve 36A (Tc'de) kapasitesine sahiptir. RDS(on) değeri 4.5V gate geriliminde 21mOhm olup, 2.5V ile 4.5V drive geriliminde çalışır. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu transistör, -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. Düşük gate charge karakteristiği (19nC @ 4.5V) sayesinde hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Güç kaynakları, motor kontrolü, anahtarlanmış mod power supply (SMPS) ve DC/DC dönüştürücü gibi uygulamalarda tercih edilir. Bileşen artık üretilmemekte (obsolete) olup, stok tüklenmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10.7A (Ta), 36A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 19 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1082 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 3.8W (Ta), 43W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 21mOhm @ 10.7A, 4.5V |
| Supplier Device Package | TO-252, (D-Pak) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok