Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDD6035AL

N-CHANNEL POWER MOSFET

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
FDD6035AL

FDD6035AL Hakkında

FDD6035AL, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistörüdür. 30V (Vdss) ve 12A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç yönetimi, motor kontrolü, anahtarlama devreleri ve DC-DC dönüştürücü uygulamalarında kullanılır. TO-252 (D-Pak) yüzey montaj paketine sahip olan bu bileşen, -55°C ile 175°C arasında çalışır. Maksimum 12mOhm on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. Gate kontrol voltajı ±20V'ye kadar dayanır ve 3V eşik voltajında açılır. 1230pF giriş kapasitansı ve 18nC gate charge değerleri hızlı anahtarlama uygulamaları için uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A (Ta), 46A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1230 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 1.5W (Ta), 56W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12mOhm @ 12A, 10V
Supplier Device Package TO-252, (D-Pak)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok