Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDD6030BL
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDD6030BL
FDD6030BL Hakkında
FDD6030BL, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 30V drain-source voltajında çalışabilen bu bileşen, 10A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. TO-252 (DPak) paketinde sunulan FDD6030BL, switching uygulamalarında, DC-DC konvertörlerde, motor kontrol devrelerinde ve güç yönetimi sistemlerinde kullanılır. 16mΩ maksimum Rds(on) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arasında güvenli çalışma aralığına sahiptir. Gate charge karakteristiği ve düşük input kapasitansı, hızlı switching işlemleri için uygun tasarımı gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Ta), 42A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 31 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1143 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.6W (Ta), 50W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252, (D-Pak) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok