Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDD5N60NZTM
MOSFET N-CH 600V 4A DPAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDD5N60NZ
FDD5N60NZTM Hakkında
FDD5N60NZTM, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 600V drain-source gerilim kapasitesi ve 4A sürekli drain akımı ile tasarlanmıştır. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, yüksek gerilim uygulamalarında anahtarlama ve güç yönetimi görevleri için kullanılır. 2Ω maksimum on-direnci (Rds On) ile verimli çalışma sağlar. Güç dönüştürücüler, enerji geri kazanım devreleri ve industrial motor kontrol sistemlerinde yaygın olarak uygulanır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve 83W güç yayma kapasitesine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 600 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 83W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2Ohm @ 2A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok