Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDD5N53TM_WS
MOSFET N-CH 530V 4A DPAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDD5N53TM
FDD5N53TM_WS Hakkında
FDD5N53TM_WS, onsemi tarafından üretilen 530V N-Channel MOSFET transistördür. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu komponen, 4A kontinü drain akımı ve 1.5Ω maksimum RDS(on) değeri ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 10V gate sürüş voltajında optimize edilmiş tasarımı, düşük kapı yükü (15nC) ve minimal giriş kapasitesi (640pF) ile hızlı anahtarlama performansı sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu transistör, yüksek voltaj uygulamaları, anahtarlama güç kaynakları, motor kontrol devreleri ve endüstriyel elektronik sistemlerde tercih edilir. Maksimum 40W güç tüketiminde tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 530 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 640 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 40W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5Ohm @ 2A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok