Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDD5N53TM
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDD5N53TM
FDD5N53TM Hakkında
FDD5N53TM, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistörüdür. 530V drain-source gerilimi ve 4A sürekli dren akımı kapasitesiyle yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 1.5Ω (10V, 2A) on-resistance değeri ile verimli güç anahtarlaması sağlar. Geniş çalışma sıcaklık aralığında (-55°C ~ 150°C) ve 40W güç dağıtım kapasitesiyle, endüstriyel güç elektronikleri, motor kontrol devreleri, anahtamlı güç kaynakları ve yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. TO-252 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 530 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 640 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 40W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5Ohm @ 2A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252, (D-Pak) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok