Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDD5N50UTF_WS
MOSFET N-CH 500V 3A DPAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDD5N50UTF
FDD5N50UTF_WS Hakkında
FDD5N50UTF_WS, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 500V drain-source gerilim ve 3A sürekli drain akımı ile yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, 2Ω maksimum RDS(on) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. Gate charge değeri 15nC ile hızlı komütasyon gerçekleştirilebilir. 40W güç dissipasyonu kapasitesiyle, -55°C ile +150°C arasında çalışan bu transistör, AC/DC dönüştürücüler, anahtarlamalı güç kaynakları ve yüksek gerilim kontrol devreleri gibi endüstriyel elektronik uygulamalarında tercih edilir. Maksimum ±30V gate voltajı ile güvenli işletim imkanı sağlar. Bileşen satış dışı (obsolete) durumda olup, yerine geçer parça araştırması önerilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 650 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 40W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2Ohm @ 1.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok