Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDD5N50TM-WS
MOSFET N-CH 500V 4A DPAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDD5N50TM
FDD5N50TM-WS Hakkında
FDD5N50TM-WS, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 500V drain-source gerilimi ve 4A sürekli dren akımı kapasitesi ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. TO-252 (DPak) yüzey montaj paketi ile PCB tasarımlarında kompakt çözüm sunar. 1.4Ω maksimum on-resistance değeri ile verimli güç iletimi sağlar. Sınıflandırılmış son satın alma (Last Time Buy) durumundadır. Anahtarlama güç kaynakları, SMPS devreleri, motor kontrol uygulamaları ve yüksek gerilim switches gibi endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığına sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 640 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Last Time Buy |
| Power Dissipation (Max) | 40W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4Ohm @ 2A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok