Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDD5N50TF_WS

MOSFET N-CH 500V 4A DPAK

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
FDD5N50TF

FDD5N50TF_WS Hakkında

FDD5N50TF_WS, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 500V drain-source gerilimi ve 4A sürekli drain akımı ile yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-252 (DPak) yüzey monte paketinde sunulan bu bileşen, güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol devreleri ve endüstriyel anahtar uygulamalarında tercih edilir. 1.4Ω maksimum RDS(on) değeri ile ısıl kaybı minimize eder. -55°C ile 150°C arasında çalışır. Vgs(th) değeri 5V @ 250µA olup, 10V sürücü gerilimi ile tam açılma sağlanır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 500 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 640 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4Ohm @ 2A, 10V
Supplier Device Package TO-252AA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok