Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDD5N50NZTM
MOSFET N-CH 500V 4A DPAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDD5N50NZ
FDD5N50NZTM Hakkında
FDD5N50NZTM, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 500V drain-source gerilimi ve 4A sürekli drain akımı ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılmaya uygun bir yarı iletken elementidir. 1.5Ω maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. TO-252 (DPak) yüzeye monte paketinde sunulan bu transistör, endüstriyel enerji dönüştürme, anahtar modlu güç kaynakları, motor kontrol ve yalıtım devresi uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışan cihaz, 62W güç dağıtımı kapasitesine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 440 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 62W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5Ohm @ 2A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok