Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDD5N50NZFTM
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDD5N50NZ
FDD5N50NZFTM Hakkında
FDD5N50NZFTM, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 500V drain-source gerilimi ve 3.7A sürekli drenaj akımı ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. 1.75Ω maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. TO-252 (D-Pak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, güç kaynakları, motor kontrol devreleri, anahtarlamalı güç kaynakları (SMPS) ve yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen geniş sıcaklık aralığı, endüstriyel ve otomotiv uygulamaları için uygun hale getirmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.7A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 485 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 62.5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.75Ohm @ 1.85A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252, (D-Pak) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok