Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDD5N50NZFTM
MOSFET N-CH 500V 3.7A DPAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDD5N50NZ
FDD5N50NZFTM Hakkında
FDD5N50NZFTM, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 500V drain-source gerilim ve 3.7A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan bu transistör, yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 10V gate sürücü geriliminde 1.75Ω on-resistance değeri ile verimli anahtarlama sağlar. Güç kaynakları, motor kontrol devreleri, DC-DC konvertörleri ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile +150°C arası çalışma sıcaklığı aralığında 62.5W güç dissipasyonuna dayanabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.7A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 485 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 62.5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.75Ohm @ 1.85A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok