Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDD5N50FTM
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDD5N50FTM
FDD5N50FTM Hakkında
FDD5N50FTM, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 500V Drain-Source gerilimi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 25°C sıcaklıkta 3.5A sürekli dren akımı ve 40W maksimum güç dağılımı kapasitesine sahiptir. 10V sürücü geriliminde 1.55Ohm RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. 650pF giriş kapasitanası ve 15nC gate charge karakteristiği hızlı komütasyon için optimize edilmiştir. -55°C ile 150°C arasında çalışmaya uygun olup, yüksek güç uygulamaları, anahtarlama devreler, güç kaynakları ve motor sürücülerinde tercih edilir. Surface Mount TO-252 (D-Pak) paketlemesi ile PCB entegrasyonu kolaylaştırır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 650 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 40W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.55Ohm @ 1.75A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252, (D-Pak) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok