Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDD5810
MOSFET N-CH 60V 7.4A/37A DPAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDD5810
FDD5810 Hakkında
FDD5810, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source voltaj derecesinde çalışabilen bu bileşen, 37A (Tc) sürekli drenaj akımına sahiptir. TO-252 (DPak) yüzey montajlı paketinde sunulan transistör, güç yönetimi, anahtarlama devreleri, DC-DC dönüştürücüler ve motor kontrol uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. 22mOhm maksimum RDS(on) değeri ile verimli iletim sağlar. Çalışma sıcaklık aralığı -55°C ile 175°C arasında değişir. 72W güç dağıtımı kapasitesi ile orta güç seviyesindeki uygulamalara uygundur. Not: Bu parça artık üretim dışı (obsolete) statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7.4A (Ta), 37A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 34 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1890 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 72W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22mOhm @ 32A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252, (D-Pak) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok