Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDD5690

MOSFET N-CH 60V 30A TO252

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
FDD5690

FDD5690 Hakkında

FDD5690, onsemi tarafından üretilen 60V drain-source gerilimi ve 30A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip N-Channel MOSFET'tir. TO-252 (DPak) yüzey montajlı paket ile sunulan bu transistör, güç yönetimi uygulamalarında, DC-DC dönüştürücülerde, motor kontrol devrelerinde ve anahtar modlu güç kaynağı (SMPS) tasarımlarında kullanılır. 27mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük kayıp uygulamalar gerçekleştirir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu bileşen, endüstriyel ve ticari elektronik uygulamalarında tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 30A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1110 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 3.2W (Ta), 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 27mOhm @ 9A, 10V
Supplier Device Package TO-252AA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok