Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDD5680

MOSFET N-CH 60V 8.5A TO252

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
FDD5680

FDD5680 Hakkında

FDD5680, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 8.5A sürekli drain akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 21mOhm RDS(on) değeri ile düşük geçiş kaybı sağlar. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, DC-DC konvertörler, motor kontrolü ve güç yönetimi uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen FDD5680, endüstriyel ve tüketici elektronik ürünlerinde kullanılan güvenilir bir çözümdür.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1835 pF @ 30 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2.8W (Ta), 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 21mOhm @ 8.5A, 10V
Supplier Device Package TO-252AA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok