Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDD5670
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDD5670
FDD5670 Hakkında
FDD5670, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 52A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle güç uygulamalarında kullanılır. TO-252 (D-Pak) paketinde temin edilen bu bileşen, anahtarlama devrelerinde, güç yönetimi sistemlerinde ve motor kontrol uygulamalarında yer alır. 15mΩ maksimum Rds(On) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu transistör, güç kaynakları, LED sürücüleri ve endüstriyel kontrol sistemlerinde yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 52A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 73 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2739 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.8W (Ta), 83W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252, (D-Pak) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok