Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDD5612
MOSFET N-CH 60V 5.4A TO252-3
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDD5612
FDD5612 Hakkında
FDD5612, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 5.4A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. TO-252-3 (DPak) yüzey montaj paketi ile tasarlanmıştır. 55mΩ maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama performansı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında stabil çalışır. Düşük gate charge (11nC) sayesinde hızlı anahtarlama özellikleri sunmaktadır. Motor kontrol, güç kaynağı tasarımları, DC-DC dönüştürücüler ve anahtarlamalı güç uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. Ürün obsolete statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.4A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 660 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 3.8W (Ta), 42W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 55mOhm @ 5.4A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok