Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDD4N60NZ
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDD4N60NZ
FDD4N60NZ Hakkında
FDD4N60NZ, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistörüdür. 600V drain-source gerilimi ve 3.4A sürekli dren akımı ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. 2.5Ω maksimum Rds(On) değeri ile iletim kayıpları düşük tutulur. TO-252 (D-Pak) surface mount paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama devreleri, DC-DC konvertörleri, güç kaynakları ve motor sürücü uygulamalarında tercih edilir. 10.8nC gate charge ve 510pF input kapasitansı ile hızlı komütasyon özelliği sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve 114W güç dağıtabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10.8 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 510 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 114W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.5Ohm @ 1.7A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252, (D-Pak) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok