Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDD4N60NZ
MOSFET N-CH 600V 3.4A DPAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDD4N60NZ
FDD4N60NZ Hakkında
FDD4N60NZ, onsemi tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilim ve 3.4A sürekli drain akımı kapasitesi ile yüksek gerilim uygulamaları için tasarlanmıştır. 2.5Ohm maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama performansı sağlar. TO-252 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Güç kaynakları, motor kontrol devreleri, DC-DC dönüştürücüler ve anahtarlamalı güç uygulamalarında kullanılır. Gate charge değeri 10.8nC ve input capacitance değeri 510pF ile hızlı anahtarlama özelliği gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10.8 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 510 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 114W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.5Ohm @ 1.7A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok