Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDD4685

MOSFET P-CH 40V 8.4A/32A DPAK

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
FDD4685

FDD4685 Hakkında

FDD4685, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 40V drain-source gerilimi ile tasarlanan bu transistör, 8.4A sürekli drenaj akımı (Ta=25°C) ve 32A akımı (Tc=25°C) destekler. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bileşen, düşük on-resistance (27mOhm @ 10V) sayesinde anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışan FDD4685, güç kaynakları, motor kontrol devreleri, yük değiştirici ve batarya yönetim sistemlerinde yaygın olarak uygulanır. 69W güç harcanabilirliği ve 27nC gate charge özellikleri ile hızlı anahtarlama işlemleri mümkündür.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8.4A (Ta), 32A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 27 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2380 pF @ 20 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 69W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 27mOhm @ 8.4A, 10V
Supplier Device Package TO-252AA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok