Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDD4141

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
FDD4141

FDD4141 Hakkında

FDD4141, Rochester Electronics tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. TO-252 (D-Pak) yüzey montaj paketinde sunulan bu komponent, 40V drain-source gerilimi ve 10.8A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 12.3mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim direnci sunarak enerji verimliliği sağlar. -55°C ile +150°C arasında güvenilir çalışma sağlayan bu transistör, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor sürücüleri ve DC-DC dönüştürücüler gibi endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında kullanılır. Sürü ±20V gate-source gerilimine kadar dayanıklıdır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10.8A (Ta), 50A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2775 pF @ 20 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2.4W (Ta), 69W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12.3mOhm @ 12.7A, 10V
Supplier Device Package TO-252, (D-Pak)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok