Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDD3860
MOSFET N-CH 100V 6.2A DPAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDD3860
FDD3860 Hakkında
FDD3860, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 6.2A sürekli drain akımı ile çalışan bu bileşen, düşük gate şarjı (31 nC @ 10V) ve düşük on-state direnç (36 mOhm @ 10V) özellikleriyle tasarlanmıştır. Surface mount TO-252 (DPak) paketinde sunulan FDD3860, anahtarlama uygulamaları, DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüleri ve güç yönetim devrelerinde kullanılır. -55°C ile 150°C sıcaklık aralığında çalışabilen bu transistör, maksimum 69W güç dağılımı kapasitesine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.2A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 31 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1740 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.1W (Ta), 69W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 36mOhm @ 5.9A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok