Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDD3680

MOSFET N-CH 100V 25A TO252

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
FDD3680

FDD3680 Hakkında

FDD3680, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source voltaj ve 25A sürekli drain akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu komponentin maksimum RDS(on) değeri 46mΩ'dur (10V Vgs, 6.1A akımda). 68W güç dissipasyonu kapasitesi ile motor kontrolü, güç dönüştürücüleri, anahtarlama devreleri ve DC/DC konvertörleri gibi uygulamalarda kullanılabilir. -55°C ile +175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 25A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1735 pF @ 50 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 68W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 46mOhm @ 6.1A, 10V
Supplier Device Package TO-252AA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok