Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDD3680
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDD3680
FDD3680 Hakkında
FDD3680, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET'tir. 100V drain-source gerilimi (Vdss) ve 25A sürekli dren akımı (Id) kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-252 (D-Pak) paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, motor kontrolü, DC-DC dönüştürücüler ve güç yönetimi uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. 46mΩ maksimum on-state direnç (Rds On) düşük enerji kaybı sağlar. -55°C ile +175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir ve 68W güç dağılımına kapasite taşır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 25A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 53 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1735 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 68W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 46mOhm @ 6.1A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252, (D-Pak) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok