Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDD3670
MOSFET N-CH 100V 34A TO252
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDD3670
FDD3670 Hakkında
FDD3670, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilim (Vdss) ve 34A sürekli drain akımı kapasitesiyle, güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-252 (DPak) surface mount paketinde sunulan bu bileşen, 32mΩ on-state direnci ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahip olup, kontrol devreleri, DC/DC dönüştürücüler, motor sürücüleri ve güç anahtarlama sistemlerinde uygulanır. 80nC gate charge karakteristiği hızlı komütasyon sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 34A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 80 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2490 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.8W (Ta), 83W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 32mOhm @ 7.3A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok