Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDD3580
MOSFET N-CH 80V 7.7A D-PAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDD3580
FDD3580 Hakkında
FDD3580, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 80V drain-source gerilimi ve 7.7A sürekli dren akımı kapasitesine sahip bu bileşen, D-PAK (TO-252-3) paketinde sunulmaktadır. 29mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Gate charge değeri 49nC olup, hızlı anahtarlama uygulamaları için uygundur. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu transistör, güç yönetimi, motor kontrolü, aydınlatma uygulamaları ve DC-DC konvertörlerde kullanılır. Maksimum 3.8W (Ta) güç tüketimi ile verimli tasarımlar gerçekleştirilmesini sağlar. Not: Bu ürün artık üretilmemektedir (obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7.7A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 49 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1760 pF @ 40 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 3.8W (Ta), 42W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 29mOhm @ 7.7A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok