Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDD3570
MOSFET N-CH 80V 10A TO252
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDD3570
FDD3570 Hakkında
FDD3570, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 80V drain-source gerilimi ve 10A sürekli dren akımı kapasitesiyle güç uygulamalarında anahtar elemanı olarak kullanılır. TO-252 (D-Pak) paketinde sunulan bu bileşen, 20mΩ on-state direnci ile düşük güç kaybı sağlar. Gate charge değeri 76nC olup hızlı anahtarlama işlemleri için uygundur. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ile 150°C arası) sayesinde endüstriyel ve otomotiv uygulamalarında tercih edilir. Anahtarlama devreleri, motor kontrolü ve DC-DC konverterler gibi güç elektronik uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 76 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2800 pF @ 40 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 3.4W (Ta), 69W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252, (D-Pak) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok