Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDD306P
MOSFET P-CH 12V 6.7A TO252
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDD306P
FDD306P Hakkında
FDD306P, onsemi tarafından üretilen P-channel MOSFET transistördür. 12V drain-source gerilimi ve 6.7A sürekli drain akımı kapasitesi ile anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. TO-252 DPak paketinde sunulan bu bileşen, düşük on-state direnci (28mOhm @ 4.5V) sayesinde enerji verimliliğini artırır. Geniş işletme sıcaklık aralığı (-55°C ~ 175°C) ile endüstriyel ve otomotiv uygulamalarında, anahtarlama devreleri, güç kaynakları ve motor kontrolü gibi alanlarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.7A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 21 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1290 pF @ 6 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 52W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 28mOhm @ 6.7A, 4.5V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok